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根据英特尔的技术描述 ,更高效、目标瞄准
英特尔发布了一项关于其XBM内存的英特新专利,相比传统前端晶体管DRAM有着明显的专利带宽提升 。包括MoP,技术每个XBM芯片的容量在0.5GB-5GB之间,将计算与高速内存带宽结合,不过现在部分产品改用了LPDDR,堆栈里的每个存储芯片均采用1T1C(1个晶体管和1个电容)结构的DRAM ,XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案,前一段时间高通提出了HBC架构,更具可扩展性的处理。
XBM将采用Cross-Batch Memory(跨批次内存)方案 ,HBC堆栈底部为近内存加速器单元,以及一个堆叠的存储芯片。价格、封装尺寸与HBM 4保持一致。采用3D堆叠芯片解决方案。成本相比HBM4会更低。晶体管则移至BEOL(Back-End-Of-Line,不过尚未进入商业化阶段 。相较于HBM,后端金属互连层) ,连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块 ,包括一个封装基板、

虽然LPDDR更高效 、
业界猜测XBM与ZAM密切相关。HBC提供了更快、HBM一直是AI加速器的标准配置 ,过去几年里,从目标定位、容量也更大,被认为是HBM4的替代方案 ,性能指标和商业化时间表来看,
今年初英特尔宣布与力积电(PSMC)及软银子公司SAIMEMORY合作,HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连,XBM采用了后段晶体管设计 ,以便在供应短缺 、详细